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          鍺烷

          簡介—— 鍺烷產品分類: 電子氣體 鍺烷 純度:99.999% 中文名:鍺烷 英文名:germane 分子式:GeH4 分子量:76.64 CAS登錄號:231-961-6 …

          • 鍺烷

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          鍺烷

          產品分類: 電子氣體

          四川鍺烷 


          鍺烷 純度:99.999% 中文名:鍺烷 英文名:germane 分子式:GeH4 分子量:76.64  CAS登錄號:231-961-6 EINECS登錄號:3.52 沸  點:-88.15℃ 外觀 :有毒、易燃和無色的氣體。在室溫和大氣壓力下,具有特有的刺激性氣味 穩定性:鍺烷的熱穩定性比硅烷差,大約280℃就能檢測到鍺烷分解為鍺和氫。這個溫度約比硅烷開始分解的溫度低100℃ 

          鍺烷是通式為GenH2n+2的一系列鍺與氫的化合物的總稱。一般來講鍺烷即指甲鍺烷,常溫下為有毒、易燃和無色的氣體,分子式GeH4。

          鍺烷為無色、劇毒、可自燃、非腐蝕性氣體。熱穩定性差,160 ~ 180 ℃時鍺烷緩慢氧化,大約在280 ℃就能檢測到鍺烷分解為鍺和氫,在350 ℃鍺烷幾乎全部分解成單質鍺和氫氣; 鍺烷的自催化性很強,一旦分解形成了金屬覆蓋膜,就會急劇分解,故其分解爆炸危險性很高。鍺烷一般通過化學還原法、電化學反應法、等離子合成法合成,在半導體工業上有重要的用途
          鍺烷為劇毒、可分解爆炸物質,因此對整個生產工藝流程設備材質的選擇和處理方面有一定的難度,特別是對反應系統的密閉性和尾氣的處理更應該重視。要考慮減少廢水、廢氣排放量,并加強處理,含鍺烷的尾氣必須經過無害化處理,符合排放標準方能排放。
           理化特性
          物理性質
          性狀:有毒、易燃和無色的氣體。
          臨界溫度:308 K
          臨界壓力:54.8 atm
          生成熱:+90.37 kJ/mol
          鍵能(Ge—H):288.70 kJ/mol
          鍵長(Ge—H):152.7 pm[1] 
          化學性質
          與硅烷不同,鍺烷在空氣中不自燃。GeH4能與空氣混合而不發生化學變化,升溫至160℃—183℃才逐漸被氧化(在低壓下需要升溫至320℃才起反應)。GeH4大約在280℃分解為鍺和氫,375℃迅速分解。
          鍺烷與過量氧的反應按下式進行:GeH4 + 2O2 → GeO2 + 2H2O
          鍺烷與硅烷都是強還原劑,例如GeH4與硝酸銀水溶液反應能放出氫氣并析出黑色的鍺與銀的混合物。硅烷在稀堿溶液中迅速水解,而GeH4不但與稀堿溶液不反應,甚至與33%的NaOH溶液及1mol/L的HBr溶液中也不水解。
          鍺烷的液氨溶液具有導電性,是由于其在液氨中發生了電離:GeH4 + NH3 → NH4+ + GeH3-,因此鍺烷與鈉或鉀在液氨中反應,分別生成白色固體NaGeH3和KGeH3,這兩種物質在室溫下都不穩定。
          用途
          甲鍺烷在較高溫度下時分解為鍺和氫氣。這種對熱不穩定性被用于半導體工業中,即有機金屬化學氣相沉積法(MOVPE)。由于甲鍺烷毒性較大,某些有機鍺化合物(如異丁基鍺)可以替代甲鍺烷,應用于MOVPE中。
          用于生產高純鍺
          鍺烷作為高純單質鍺的重要來源之一,主要用于半導體,紅外技術等方面。采用鍺烷制備單質鍺具有以下優點: 鍺烷分解在較低的溫度下進行,并具有高的生產能力和高的產量,原始化合物和反應產品具有較小的反應能力,不需要補充試劑。
          20 世紀60 年代以前,鍺一直是作為重要的半導體材料而被大量采用,95% 以上的鍺是用于制造半導體器件,以后由于硅材料的崛起,致使鍺在半導體領域的用量一落千丈。但鍺器件具有其它器件所無法比擬的優越性,鍺具有非常小的飽和電阻,幾乎無熱輻射、功耗極小等優點。紅外光學是耗鍺.多的領域之一,美國和日本一直把鍺烷作為戰略儲備物資用于軍事方面。此外,鍺在光纖、催化劑、醫藥、食品等領域仍然保持著一定的消耗量,還用于電阻溫度計等。因此,即使硅材料被廣泛使用,鍺的生產也是必不可少的,而鍺烷分解法是生產高純鍺的.佳方法之一。
          用于太陽能電池

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